গ্যালিয়াম আর্সেনাইড: কাঠামো, বৈশিষ্ট্য, ব্যবহার, ঝুঁকি - রসায়ন - 2025

গ্যালিয়াম arsenide একটি অজৈব গ্যালিয়াম পরমাণু উপাদান (GA) এবং আর্সেনিক পরমাণু (অনুযায়ী) গঠিত যৌগ। এর রাসায়নিক সূত্রটি গাএএস। এটি একটি গা gray় ধূসর ঘন যাতে নীল-সবুজ ধাতব শিন থাকতে পারে।

এই যৌগের ন্যানোস্ট্রাকচারগুলি ইলেক্ট্রনিক্সের বিভিন্ন ক্ষেত্রে বিভিন্ন ব্যবহারের সম্ভাবনা সহ প্রাপ্ত হয়েছে। রাসায়নিক সাময়িকী সারণীতে এর উপাদানগুলির অবস্থানের কারণে এটি যৌগিক তৃতীয়-ভি নামক উপকরণগুলির একটি গ্রুপের অন্তর্ভুক্ত।

গাএ ন্যানোস্ট্রাকচারস। С чиковаычикова, Сергей Ковачёв / সিসি বিওয়াই-এসএ (https://creativecommons.org/license/by-sa/4.0)। সূত্র: উইকিমিডিয়া কমন্স।

এটি একটি অর্ধপরিবাহী উপাদান, যার অর্থ এটি কেবল নির্দিষ্ট শর্তে বিদ্যুৎ পরিচালনা করতে পারে। এটি ট্রানজিস্টর, জিপিএস, এলইডি লাইট, লেজার, ট্যাবলেট এবং স্মার্ট ফোনের মতো বৈদ্যুতিন ডিভাইসে ব্যবহৃত হয় widely

এর এমন বৈশিষ্ট্য রয়েছে যা এটিকে সহজেই আলোক শোষণ করতে এবং বৈদ্যুতিক শক্তিতে রূপান্তর করতে দেয়। এই কারণে এটি উপগ্রহ এবং মহাকাশ যানবাহনের সৌর কোষে ব্যবহৃত হয়।

এটি বিকিরণ তৈরি করতে দেয় যা বিভিন্ন পদার্থ এবং জীবিত জীবকে কোনও ক্ষতির কারণ না হয়ে প্রবেশ করে। সাপের বিষ দ্বারা ক্ষতিগ্রস্থ পেশী ভরগুলি পুনরায় জেনারেট করে এমন এক প্রকার গাএ লেজারের ব্যবহার অধ্যয়ন করা হয়েছে।

তবে এটি একটি বিষাক্ত যৌগ এবং এটি মানুষ ও প্রাণীতে ক্যান্সার সৃষ্টি করতে পারে। ল্যান্ডফিলগুলিতে নিষ্পত্তি করা বৈদ্যুতিন সরঞ্জাম বিপজ্জনক আর্সেনিক মুক্তি দিতে পারে এবং মানুষ, প্রাণী ও পরিবেশের স্বাস্থ্যের জন্য ক্ষতিকারক হতে পারে।

গঠন

গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের পর্যায় সারণির গ্রুপ III এর একটি উপাদান এবং গ্রুপ V এর উপাদানগুলির মধ্যে 1: 1 অনুপাত রয়েছে, এজন্য এটিকে যৌগিক III-V বলা হয়।

এটি আর্সেনিক (As) এবং গ্যালিয়াম (গা) এর সমন্বয়ে একটি ইন্টারমেটালিক সলিড হিসাবে বিবেচিত যা গা ⁽⁰⁾ আস ⁽⁰⁾ থেকে গা ⁽⁺³⁾ আস ^(-3) পর্যন্ত জারণ রাষ্ট্রের সাথে রয়েছে ।

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড স্ফটিক ডব্লিউ। ওলেন / সিসি বিওয়াই-এসএ (https://creativecommons.org/license/by-sa/3.0)। সূত্র: উইকিমিডিয়া কমন্স।

নামাবলী

• গ্যালিয়াম আর্সেনাইড
• গ্যালিয়াম মনোরসেনাইড

প্রোপার্টি

ভতস

নীল-সবুজ ধাতব দীপ্তি বা ধূসর গুঁড়া দিয়ে গা D় ধূসর স্ফটিকলোক line এর স্ফটিকগুলি কিউবিক।

গাএ এর স্ফটিক বাম: পালিশ পাশ। ডান: রুক্ষ পক্ষ। ইংলিশ উইকিপিডিয়া / সিসি বিওয়াই-এসএ (https://creativecommons.org/license/by-sa/3.0) এ পদার্থবিজ্ঞানী। সূত্র: উইকিমিডিয়া কমন্স।

আণবিক ভর

144.64 গ্রাম / মোল

গলনাঙ্ক

1238.C

ঘনত্ব

25 ডিগ্রি সেলসিয়াস এ 5.3176 গ্রাম / সেমি ³ ।

দ্রাব্যতা

জলে: 20 ডিগ্রি সেলসিয়াসে 1 মিলিগ্রাম / এমএল এরও কম

রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য

এটিতে একটি হাইড্রেট রয়েছে যা অ্যাসিড লবণ তৈরি করতে পারে। এটি শুষ্ক বাতাসে স্থিতিশীল। আর্দ্র বাতাসে অন্ধকার হয়ে যায়।

এটি বাষ্প, অ্যাসিড এবং অ্যাসিড গ্যাসগুলির সাথে প্রতিক্রিয়া করতে পারে, আর্সিন, আর্সান বা আর্সেনিক হাইড্রাইড (এএসএইচ ₃) নামক বিষাক্ত গ্যাস নির্গত করে । হাইড্রোজেন গ্যাস নির্গমনকারী ঘাঁটিগুলির সাথে প্রতিক্রিয়া জানায়।

এটি ঘন হাইড্রোক্লোরিক অ্যাসিড এবং হ্যালোজেন দ্বারা আক্রমণ করা হয়। গলে গেলে কোয়ার্টজ আক্রমণ করে। যদি এটি ভেজা হয়ে যায় তবে এটি রসুনের গন্ধ ছেড়ে দেয় এবং যদি এটি পচে যেতে উত্তপ্ত হয় তবে এটি খুব বিষাক্ত আর্সেনিক গ্যাস নির্গত করে।

অন্যান্য শারীরিক বৈশিষ্ট্য

এটি একটি অর্ধপরিবাহী উপাদান, যার অর্থ এটি বিদ্যুতের কন্ডাক্টর হিসাবে বা ইন্সুলেটার হিসাবে এটি নির্ধারিত পরিস্থিতিতে যেমন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র, চাপ, তাপমাত্রা বা রেডিয়েশন গ্রহণ করে তার উপর নির্ভর করে আচরণ করতে পারে।

বৈদ্যুতিন ব্যান্ডের মধ্যে গ্যাপ

এটির শক্তি ফাঁক প্রস্থটি 1,424 ইভি (ইলেক্ট্রন ভোল্ট) রয়েছে। শক্তির ব্যবধানের প্রশস্ততা, নিষিদ্ধ ব্যান্ড বা ব্যান্ডগ্যাপ কোনও পরমাণুর ইলেকট্রন শেলগুলির মধ্যে স্থান।

শক্তির ব্যবধান যত প্রশস্ত হবে তত বেশি শক্তি ইলেক্ট্রনগুলির দ্বারা পরবর্তী শেলটিতে "জাম্প" করতে এবং অর্ধপরিবাহীটিকে সঞ্চালিত অবস্থায় পরিবর্তিত করতে বাধ্য করে।

সিলিকনের চেয়ে গাএগুলির বৃহত্তর শক্তির ব্যবধান রয়েছে এবং এটি এটিকে বিকিরণের প্রতি অত্যন্ত প্রতিরোধী করে তোলে। এটি একটি সরাসরি ফাঁক প্রস্থও তাই এটি সিলিকনের চেয়ে আরও কার্যকরভাবে আলো নির্গত করতে পারে, যার ফাঁকের প্রস্থ পরোক্ষ।

উপগমন

এটি হাইড্রোজেন (এইচ ₂) এবং আর্সেনিক ওভার গ্যালিয়াম (তৃতীয়) অক্সাইড (গা ₂ ও ₃) 600 ডিগ্রি সেলসিয়াসে একটি বায়বীয় মিশ্রণটি পাস করার মাধ্যমে পাওয়া যায়

এটি গ্যালিয়াম (III) ক্লোরাইড (গাসিএল ₃) এবং আর্সেনিক অক্সাইড (যেমন ₂ ও ₃) 800 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের মধ্যে প্রতিক্রিয়া দ্বারাও প্রস্তুত করা যেতে পারে

সৌর কোষে ব্যবহার করুন

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড সোলার কোষগুলিতে 1970 এর দশক থেকে ব্যবহৃত হয়ে আসছে, কারণ এর মধ্যে রয়েছে অসামান্য ফটোভোলটাইক বৈশিষ্ট্য যা এটি অন্যান্য উপকরণগুলির চেয়ে একটি সুবিধা দেয়।

সৌরশক্তিকে বিদ্যুতে রূপান্তরিত করতে, উচ্চ তাপ বা কম আলো পরিস্থিতিতে অধিক শক্তি সরবরাহ করা সোলিকনের চেয়ে ভাল পারফরম্যান্স সম্পাদন করে, সৌর কোষগুলি যে সাধারণ পরিস্থিতি সহ্য করে, সেখানে আলোকপাতের স্তর এবং তাপমাত্রার পরিবর্তন রয়েছে।

এর মধ্যে কয়েকটি সৌর কোষ সৌর চালিত গাড়ি, মহাকাশ যান এবং উপগ্রহে ব্যবহৃত হয়।

একটি ছোট উপগ্রহে গাএর সৌর কোষ। মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের নেভাল একাডেমী / পাবলিক ডোমেন। সূত্র: উইকিমিডিয়া কমন্স।

এই অ্যাপ্লিকেশনটির জন্য গাএর সুবিধা

এটি আর্দ্রতা এবং অতিবেগুনী বিকিরণের বিরুদ্ধে প্রতিরোধী, এটি পরিবেশগত অবস্থার বিরুদ্ধে এটি আরও টেকসই করে তোলে এবং এয়ারস্পেস অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এটি ব্যবহারের অনুমতি দেয়।

এটিতে কম তাপমাত্রার সহগ রয়েছে, তাই এটি উচ্চ তাপমাত্রায় দক্ষতা হারাবে না এবং বিকিরণের উচ্চ সঞ্চিত ডোজগুলি প্রতিরোধ করে। মাত্র 200 ডিগ্রি সেলসিয়াসে রেডিয়েশনের ক্ষতি দূর করা যেতে পারে

এটি আলোর ফোটনগুলি শোষণের একটি উচ্চ সহগ রয়েছে, সুতরাং এটি কম আলোতে একটি উচ্চ কার্যকারিতা রয়েছে, অর্থাৎ, যখন সূর্য থেকে দূরে আলোকসজ্জা থাকে তখন এটি খুব অল্প শক্তি হারিয়ে ফেলে।

গাএর সৌর কোষগুলি কম আলোতেও দক্ষ। লেখক: আরেক সোখা। সূত্র: পিক্সাবে।

এটি অন্য যে কোনও প্রযুক্তির তুলনায় ইউনিট প্রতি বেশি শক্তি উত্পাদন করে। আপনার যখন একটি ছোট অঞ্চল যেমন বিমান, যানবাহন বা ছোট উপগ্রহ থাকে তখন এটি গুরুত্বপূর্ণ।

এটি একটি নমনীয় এবং কম ওজনের উপাদান, খুব পাতলা স্তরগুলিতে প্রয়োগ করার পরেও দক্ষ হয়ে ওঠে, যা সৌর কোষটিকে খুব হালকা, নমনীয় এবং দক্ষ করে তোলে।

মহাকাশ গাড়ির জন্য সৌর কোষ

স্পেস প্রোগ্রামগুলি 25 বছরেরও বেশি সময় ধরে গাএর সৌর কোষ ব্যবহার করে।

জার্মেনিয়াম, ইন্ডিয়াম এবং ফসফরাস জাতীয় যৌগগুলির সাথে গাএগুলির সংমিশ্রণটি মঙ্গল গ্রহের উপরিভাগের অন্বেষণকারী যানবাহনে ব্যবহৃত হওয়া খুব উচ্চ দক্ষতার সৌর কোষগুলি অর্জন করা সম্ভব করেছে possible

মঙ্গলগ্রহে কিউরিওসিটি রোভারের শিল্পীর সংস্করণ। এই ডিভাইসে গাএ ​​এর সৌর কোষ রয়েছে। নাসা / জেপিএল-ক্যালটেক / পাবলিক ডোমেন। সূত্র: উইকিমিডিয়া কমন্স।

গাএদের অসুবিধে

এটি সিলিকনের তুলনায় একটি খুব ব্যয়বহুল উপাদান, যা স্থলীয় সৌর কোষগুলিতে এর বাস্তব প্রয়োগে প্রধান বাধা হয়ে দাঁড়িয়েছে।

তবে অত্যন্ত পাতলা স্তরগুলিতে তাদের ব্যবহারের পদ্ধতিগুলি অধ্যয়ন করা হচ্ছে, যা ব্যয় হ্রাস করবে।

বৈদ্যুতিন ডিভাইসগুলিতে ব্যবহার করুন

বিভিন্ন বৈদ্যুতিন ডিভাইসে গাএর একাধিক ব্যবহার রয়েছে।

ট্রানজিস্টারে

ট্রানজিস্টর এমন উপাদান যা অন্যান্য ব্যবহারের মধ্যে বৈদ্যুতিক সংকেতকে আরও প্রশস্ত করে এবং সার্কিটগুলি খোলা বা বন্ধ করে দেয়।

ট্রানজিস্টারে ব্যবহৃত, গাএগুলির সিলিকনের তুলনায় উচ্চতর বৈদ্যুতিন গতিশীলতা এবং উচ্চতর প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, সুতরাং এটি উচ্চতর শক্তি এবং উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি শর্ত সহ্য করে, কম শব্দ উত্পন্ন করে।

GaAs ট্রানজিস্টর শক্তি প্রশস্ত করতে ব্যবহৃত হয়। ইপপ / সিসি 0 সূত্র: উইকিমিডিয়া কমন্স।

জিপিএসে

১৯৮০-এর দশকে এই যৌগটি ব্যবহারের ফলে গ্লোবাল পজিশনিং সিস্টেম বা জিপিএস (গ্লোবাল পজিশনিং সিস্টেম) রিসিভারগুলির সংক্ষিপ্তকরণের অনুমতি দেওয়া হয়েছিল।

এই সিস্টেমটি সমগ্র গ্রহের কোনও সেন্টিমিটার যথার্থতার সাথে কোনও বস্তু বা ব্যক্তির অবস্থান নির্ধারণ করা সম্ভব করে তোলে।

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড জিপিএস সিস্টেমে ব্যবহৃত হয়। লেখক: ফাউন্ড্রি কোং উত্স: পিক্সাবে।

অপটিক ইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলিতে

তুলনামূলকভাবে কম তাপমাত্রায় প্রাপ্ত গাএ ফিল্মগুলির মধ্যে দুর্দান্ত প্রতিরোধকতা (কন্ডাক্টর হওয়ার জন্য উচ্চ শক্তির প্রয়োজন হয়) এবং দ্রুত ইলেক্ট্রন স্থানান্তরের মতো দুর্দান্ত অপটোলেক্ট্রনিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

এর সরাসরি শক্তির ব্যবধান এটিকে এই ধরণের ডিভাইসে ব্যবহারের উপযোগী করে তোলে। এগুলি এমন ডিভাইস যা বৈদ্যুতিক শক্তিকে আলোকিত শক্তি বা তদ্বিপরীত রূপান্তরিত করে, যেমন এলইডি লাইট, লেজার, ডিটেক্টর, হালকা নির্গমনকারী ডায়োড ইত্যাদি are

এলইডি টর্চলাইট. গ্যালিয়াম আর্সেনাইড থাকতে পারে। লেখক: হেবি বি উত্স: পিক্সাবে।

বিশেষ বিকিরণে

এই যৌগের বৈশিষ্ট্যগুলি তারহের্তজ ফ্রিকোয়েন্সি সহ বিকিরণ তৈরির জন্য তার ব্যবহারকে প্ররোচিত করেছে, যা বিকিরণ যা ধাতু এবং জল ব্যতীত সকল ধরণের পদার্থকে প্রবেশ করতে পারে।

টেহেরহার্টস বিকিরণ, কারণ এটি অ-আয়নাইজিং, চিকিত্সাগুলি প্রাপ্তিগুলির ক্ষেত্রে প্রয়োগ করা যেতে পারে, যেহেতু এটি শরীরের টিস্যুগুলিকে ক্ষতি করে না বা এক্স-রে এর মতো ডিএনএর পরিবর্তনের কারণ করে না।

এই বিকিরণগুলি লোকেদের এবং লাগেজগুলিতে লুকানো অস্ত্রগুলি সনাক্ত করাও সম্ভব করে তোলে, রসায়ন এবং জৈব রসায়নে বর্ণালী বিশ্লেষণ পদ্ধতিতে ব্যবহার করা যেতে পারে এবং খুব পুরানো ভবনে শিল্পের লুকানো কাজগুলি উদঘাটনে সহায়তা করতে পারে।

সম্ভাব্য চিকিত্সা

এক ধরণের গাএ লেজারকে ইঁদুরের এক প্রকার সাপের বিষ দ্বারা ক্ষতিগ্রস্থ পেশী ভরগুলির পুনর্জন্মকে বাড়িয়ে তুলতে দরকারী বলে প্রমাণিত হয়েছে। তবে, মানুষের মধ্যে এর কার্যকারিতা নির্ধারণের জন্য অধ্যয়ন প্রয়োজন required

বিভিন্ন দল

এটি চৌম্বকীয় ডিভাইস, থার্মিস্টর, ক্যাপাসিটারস, ফটোলেক্ট্রনিক ফাইবার অপটিক ডেটা ট্রান্সমিশন, মাইক্রোওয়েভ, উপগ্রহ যোগাযোগ, রাডার সিস্টেম, স্মার্টফোন (4 জি প্রযুক্তি) এবং ট্যাবলেটগুলির জন্য ডিভাইসে ব্যবহৃত ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট হিসাবে অর্ধপরিবাহী হিসাবে ব্যবহৃত হয়।

স্মার্টফোনে বৈদ্যুতিন সার্কিটগুলিতে গাএ ​​থাকতে পারে। লেখক: আরেক সোখা। সূত্র: পিক্সাবে।

ঝুঁকি

এটি অত্যন্ত বিষাক্ত যৌগ। এই উপাদানটির দীর্ঘায়িত বা বারবার এক্সপোজার দেহের ক্ষতি করে।

এক্সপোজারের লক্ষণগুলির মধ্যে হাইটোপেনশন, হার্টের ব্যর্থতা, খিঁচুনি, হাইপোথার্মিয়া, পক্ষাঘাত, শ্বাস প্রশ্বাসের শোথ, সায়ানোসিস, লিভার সিরোসিস, কিডনি ক্ষতি, হেম্যাটুরিয়া এবং লিউকোপেনিয়া অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।

এটি ক্যান্সার এবং উর্বরতার ক্ষতির কারণ হতে পারে। এটি প্রাণীদের জন্যও বিষাক্ত এবং কার্সিনোজেনিক।

বিপজ্জনক বর্জ্য

বৈদ্যুতিন ডিভাইসে গাএগুলির ক্রমবর্ধমান ব্যবহার পরিবেশে এই উপাদানের ভাগ্য এবং জনসাধারণ এবং পরিবেশগত স্বাস্থ্যের জন্য এটির সম্ভাব্য ঝুঁকির বিষয়ে উদ্বেগ প্রকাশ করেছে।

আর্সেনিক নির্গমন (বিষাক্ত এবং বিষাক্ত উপাদান) এর সুপ্ত ঝুঁকি থাকে যখন গাএ-সমেত ডিভাইসগুলি পৌরসভার কঠিন বর্জ্য স্থলভাগে নিষ্পত্তি করা হয়।

অধ্যয়নগুলি দেখায় যে ল্যান্ডফিলগুলিতে পিএইচ এবং রেডক্স শর্তগুলি গাএর ক্ষয় এবং আর্সেনিক মুক্তির জন্য গুরুত্বপূর্ণ। পিএইচ 7.6 এ এবং একটি সাধারণ অক্সিজেন বায়ুমণ্ডলের অধীনে, এই বিষাক্ত মেটালয়েডের 15% পর্যন্ত মুক্তি দেওয়া যেতে পারে।

বৈদ্যুতিন সরঞ্জামগুলি স্থলপথগুলিতে নিষ্পত্তি করা উচিত নয় কারণ গাএরা বিষাক্ত আর্সেনিক ছেড়ে দিতে পারে। লেখক: আইএনইএসবি। সূত্র: পিক্সাবে।

তথ্যসূত্র

1. মার্কিন জাতীয় গ্রন্থাগার (2019)। গ্যালিয়াম আর্সেনাইড. Pubchem.ncbi.nlm.nih.gov থেকে উদ্ধার করা হয়েছে।
2. চৌধুরী, এসএ ইত্যাদি। (2019)। সৌর কোষগুলির জন্য ধাতব ন্যানোস্ট্রাকচারগুলি। সোলার সেল অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ন্যানোমেটেরিয়ালে। বিজ্ঞান ডাইরেক্ট.কম থেকে উদ্ধার করা হয়েছে।
3. রামোস-রুইজ, এ। ইত্যাদি। (2018)। গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (গাএ) পিচএইচ এবং ও ₂ এর প্রতিক্রিয়াতে লীচিং আচরণ এবং পৃষ্ঠের রসায়ন পরিবর্তন করে । বর্জ্য ব্যবস্থাপনা 77 (2018) 1-9। বিজ্ঞান ডাইরেক্ট.কম থেকে উদ্ধার করা হয়েছে।
4. স্কলেঞ্জার, টিই (2001)। গ্যালিয়াম আর্সেনাইড. উপাদানসমূহের এনসাইক্লোপিডিয়ায়: বিজ্ঞান ও প্রযুক্তি। বিজ্ঞান ডাইরেক্ট.কম থেকে উদ্ধার করা হয়েছে।
5. মেলভগানাম, কে। ইত্যাদি। (2015)। শক্ত পাতলা ছায়াছবি। গাএ ফিল্ম। সম্পত্তি এবং উত্পাদন। অ্যান্টি-অ্যাব্রেসিভ ন্যানো কোয়েটিংসে। বিজ্ঞান ডাইরেক্ট.কম থেকে উদ্ধার করা হয়েছে।
6. লিড, ডিআর (সম্পাদক) (2003)। রসায়ন ও পদার্থবিজ্ঞানের সিআরসি হ্যান্ডবুক। 85 ^তম সিআরসি প্রেস।
7. এলিনফ, জি। (2019)। গ্যালিয়াম আর্সেনাইড: সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির আরেক খেলোয়াড়। Allaboutcircits.com থেকে উদ্ধার করা।
8. সিলভা, এলএইচ ইত্যাদি। (2012)। গাআস 904-এনএম লেজার ইরেডিয়েশন ক্রোটক্সিন দ্বারা পূর্বে ক্ষতিগ্রস্থ কঙ্কালের পেশী পুনর্জন্মের সময় মাইফাইবার ভর পুনরুদ্ধারের উন্নতি করে। লেজারস মেড সায় 27, 993-1000 (2012)। Link.springer.com থেকে উদ্ধার করা হয়েছে।
9. লি, এস.এম. ইত্যাদি। (2015)। উচ্চ পারফরম্যান্স আল্ট্রাথিন গা এ সোলার সেলগুলি ভিন্ন ভিন্ন ইন্টিগ্রেটেড ডাইলেট্রিকের পর্যায়ক্রমিক ন্যানোস্ট্রাকচার সহ সক্ষম করা হয়েছে। এসিএস ন্যানো। 2015 অক্টোবর 27; 9 (10): 10356-65। Ncbi.nlm.nih.gov থেকে উদ্ধার করা।
10. তনাকা, এ। (2004)। ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড, গ্যালিয়াম আর্সেনাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের বিষাক্ততা। টক্সিকল অ্যাপ্ল ফার্মাকল। 2004 আগস্ট 1; 198 (3): 405-11। Ncbi.nlm.nih.gov থেকে উদ্ধার করা।